Empresas de Japón y EEUU se unen para desarrollar MRAM, la memoria universal. Producción en masa para 2018
Actualmente existen dos tipos distintos de memoria en nuestros dispositivos: DRAM y Flash. Este proyecto pretende crear un sucesor para ambas.
Las memorias DRAM son
las que generalmente identificamos con el término "memoria" en móviles,
tabletas y ordenadores. Son muy rápidas, pero su contenido desaparece
cuando dejan de recibir corriente eléctrica y como necesitan de la
electricidad para mantener su estado consumen bastante energía, sobre
todo para las necesidades de los dispositivos móviles. Por otro lado,
la memoria Flash es la que se emplea en las tarjetas de
memoria, en el almacenamiento de los dispositivos móviles. Es más
lenta, pero no requiere de alimentación constante y sus contenidos
permanecen guardados de forma permanente, con o sin energía. La solemos
identificar más con el término "almacenamiento" o incluso "disco duro",
ya que en muchos dispositivos ejerce la misma función que éstos.
Sin embargo, existe desde los años 90 una tecnología llamada MRAMque muchos creen que está llamada a sustituir a ambos tipos de memoria. Es un sistema de almacenamiento magnético heredero
de los viejos núcleos de ferrita, el sistema de memoria empleado antes
de los chips y que aún permanece en símbolos como el escudo de la
Facultad de Informática de la Universidad Politécnica de Madrid. Cada
bit se almacena en estas memorias con dos minúsculos discos
ferromagnéticos. Uno de ellos permanece estable, mientras que el otro
puede cambiar su polaridad. Si ambos discos tienen la misma polaridad se
considera que el bit está a 1, mientras que si la tienen distinta
estará a 0.
El
avance continuo en velocidad y capacidad de otros tipos de memoria ha
relegado hasta ahora a la MRAM a pequeños nichos de mercado. Pero la
necesidad de reducir la energía consumida por los dispositivos móviles
ha llevado a cerca de 20 fabricantes japoneses y estadounidenses de
semiconductores a unirse para desarrollar estenuevo tipo de chips de memoria con el objetivo de sustituir las voraces memorias DRAM, según afirma el diario Nikkei y
recoge la agencia EFE. Las empresas que participan en el proyecto
quieren mejorar y estandarizar la tecnología MRAM, que creen que podrá
ofrecer hasta 10 veces más velocidad y capacidad que DRAM pero con un
tercio del consumo.
Por
el lado japonés, participarán las principales empresas del sector,
tales como Hitachi, Renesas Electronics o Tokyo Electron, tercer
fabricante mundial, mientras que por parte de Estados Unidos figurarán
también algunas de sus mayores firmas, entre ellas Micron Technology, el
segundo mayor productor de chips DRAM. Según el diario, cada empresa
enviará próximamente personal de sus equipos de investigación a la
universidad de Tohoku, al noreste de Japón, donde se espera comiencen el
desarrollo de estos nuevos modelos de memoria a partir de febrero.
Con
este proyecto, las empresas esperan acelerar la comercialización de
estas memorias MRAM, en desarrollo desde los años 90, y ante el reto de
que se puedan producir en masa para 2018. Al margen de
esta sinergia de empresas, otras firmas como la japonesa Toshiba se
encuentran actualmente trabajando en su desarrollo con la surcoreana SK
Hynix, en una carrera tecnológica en la que también compite el gigante
Samsung Electronics. Motorola fue la primera en desarrollar esta
tecnología y la división encargada de ello es ahora una empresa
independiente llamada Everspin que comercializa este tipo de memorias.
El
desarrollo de este tipo de memorias podría, de hecho, permitir algo más
que el cambio de unos chips por otros. Hipotéticamente, ordenadores,
tabletas y teléfonos podrían dejar de emplear distintos tipos de
almacenamiento y optar por un único sistema de memoriapara todo,
lo que supondría un gran ahorro y a su vez un cambio notable en el modo
en que están diseñados los sistemas operativos de estos aparatos.
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