Microchip anuncia la ampliación de su catálogo de SRAM serie
con cuatro nuevos dispositivos que proporcionan la mayor capacidad y
velocidad del mercado. También se trata de la primera SRAM serie del
mercado que funciona a 5V, que se utiliza generalmente en aplicaciones
en automoción y la industria. Estos dispositivos SPI de bajo coste de
512 Kb y 1 Mb mantienen el bajo consumo de energía y los pequeños
encapsulado de 8 patillas que caracterizan la oferta de la compañía. Se
han alcanzado velocidades de hasta 80 Mbps mediante protocolos quad-SPI o
SQI™, proporcionando así unos tiempos nulos para el ciclo de escritura
con el movimiento de los datos prácticamente instantáneo que necesitan
funciones que manejan un gran volumen de datos, como descarga de
gráficos, almacenamiento intermedio de datos, registro de datos,
visualizadores, cálculos matemáticos, audio y vídeo.
Otros
dos miembros de la familia, el 23LCV512 y el 23LCV1024, ofrecen las
opciones más económicas del mercado para RAM no volátiles con una
duración ilimitada mediante soporte de batería y unos costes
notablemente más reducidos que cualquier otro tipo de RAM no volátil.
Con su rápido puerto doble SPI (SDI) de 40 Mbps y bajas corriente en
modo activo y en modo dormido, estos dispositivos NVSRAM serie ofrecen
una elevada velocidad sin el elevado número de patillas que caracteriza a
las NVSRAM paralelo, así como con un consumo de energía comparable a la FRAM
por un precio mucho más bajo. Esto resulta beneficioso para
aplicaciones como contadores, cajas negras y otros registradores de
datos, que exigen una duración ilimitada o escritura instantánea así
como almacenamiento no volátil.
Estas
nuevas SRAM de 1 Mbit permiten que los diseñadores de productos
embebidos proporcionen más RAM a un coste mucho más reducido que adoptar
un mayor microcontrolador o procesador, y con un consumo de energía
más bajo, menos patillas y menor coste que una SRAM paralelo. La
integración de un SPI permite que estas SRAM se adapten a la tendencia
hacia los interfaces serie. El mercado de EEPROM se ha orientado
completamente hacia los interfaces serie, mientras que el mercado Flash
está realizando esta transición con rapidez debido al coste más elevado,
el mayor espacio ocupado en la placa y el mayor consumo de energía de
los dispositivos paralelo.
Los
seis dispositivos de la nueva familia de SRAM serie se suministran en
encapsulados SOIC, TSSOP y PDIP de 8 patillas con una capacidad de 512
Kbits y 1 Mbit. Los cuatro dispositivos volátiles, 23A512, 23LC512,
23A1024 y 23LC1024, ya se encuentran disponibles en cantidades de
muestreo y de producción, mientras que los dos dispositivos no
volátiles, 23LCV512 y 23LCV1024, estarán disponibles previsiblemente
para muestreo y producción en volumen en el mes de octubre.
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